低(di)場(chang)核(he)磁(ci)共(gong)振(zhen)波譜(pu)儀(yi)的樣(yang)品(pin)準(zhun)備(bei)階段(duan)需要(yao)註意(yi)哪些(xie)問(wen)題(ti)

　　作(zuo)用(yong)的原理是：

　　核(he)磁(ci)共(gong)振(zhen)譜來(lai)源(yuan)於原子核(he)能(neng)級間的躍(yue)遷。只(zhi)有(you)置於強磁(ci)場(chang)中的某(mou)些(xie)原子核(he)才(cai)會發生(sheng)能(neng)級分(fen)裂，當(dang)吸(xi)收的輻(fu)射能(neng)量與(yu)核(he)能(neng)級差相(xiang)等(deng)時，就發(fa)生(sheng)能(neng)級躍(yue)遷而(er)產(chan)生(sheng)核(he)磁(ci)共(gong)振(zhen)信號(hao)。用(yong)壹(yi)定(ding)頻(pin)率(lv)的電磁(ci)波對樣(yang)品(pin)進(jin)行照射，可(ke)使特(te)定(ding)化學結構環(huan)境中的原子核(he)實現(xian)共(gong)振(zhen)躍(yue)遷，在照射掃描中記(ji)錄(lu)發生(sheng)共(gong)振(zhen)時的信號(hao)位(wei)置和(he)強(qiang)度，就(jiu)得(de)到(dao)核(he)磁(ci)共(gong)振(zhen)譜。核(he)磁(ci)共(gong)振(zhen)譜上的共(gong)振(zhen)信號(hao)位(wei)置反映樣(yang)品(pin)分(fen)子(zi)的局(ju)部(bu)結構（如官能(neng)團，分子(zi)構(gou)象等(deng)），信號(hao)強(qiang)度則(ze)往(wang)往(wang)與(yu)有(you)關(guan)原子核(he)在樣(yang)品(pin)中存在的量有(you)關(guan)。

　　低(di)場(chang)核(he)磁(ci)共(gong)振(zhen)波譜(pu)儀(yi)的樣(yang)品(pin)準(zhun)備(bei)階段(duan)需要(yao)註意(yi)哪些(xie)問(wen)題(ti)？

　　樣(yang)品(pin)量：在均(jun)勻區範(fan)圍(wei)內盡(jin)量多(duo)；樣(yang)品(pin)量大(da)，信噪(zao)比(bi)高；

　　樣(yang)品(pin)類型(xing)：含(han)檢(jian)測(ce)目標(biao)原子核(he)；

　　如試管(guan)（標(biao)配）/玻(bo)璃瓶(ping)，聚(ju)四氟(fu)乙烯(xi)管/瓶(ping)；聚(ju)四氟(fu)乙烯(xi)載床(chuang)；

　　樣(yang)品(pin)最大高度/長度：≤探頭均(jun)勻區長(chang)度(du)；

　　樣(yang)品(pin)直(zhi)徑：與(yu)裝(zhuang)樣(yang)容(rong)器相(xiang)匹配，可(ke)置於裝(zhuang)樣(yang)容(rong)器內(nei)；

　　置入探頭位(wei)置：豎向探頭：放(fang)入探頭內(nei)即(ji)可(ke)；橫向探頭：樣(yang)品(pin)管(guan)中心位於(yu)探頭中心；

　　樣(yang)品(pin)自(zi)身(shen)影響(xiang)結果因素：導電，含(han)有(you)鐵/順磁(ci)性元(yuan)素；溫度(du)；粘(zhan)度；

　　裝(zhuang)樣(yang)容(rong)器：非(fei)金屬(shu)不檢(jian)測(ce)目標(biao)原子核(he)，不導電。與(yu)探頭直(zhi)徑匹(pi)配，直(zhi)徑略(lve)小於探頭直(zhi)徑；幹(gan)凈(jing)幹燥；裝(zhuang)載樣(yang)品(pin)至(zhi)於(yu)均(jun)勻區。